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1

超導(dǎo)器件項目（二）

設(shè)備1：臨時鍵合系統(tǒng) 數(shù)量：1 參數(shù)： 1、晶圓尺寸：6/8inch兼容 2、晶圓堆疊最大厚度：4 mm； 3、腔體全封閉，側(cè)邊用VAT閥門，用于放入待鍵合基片。 4、腔室真空范圍：0.9 mbar～1e3 mbar； 真空控制精度：(1e-5mbar～10mbar)≤±15%， (10 mbar～1200 mbar)≤±0.1% 5、上、下基板加熱系統(tǒng)分別獨立控制；加熱溫度范圍：室溫至500℃； 溫控精度：≤±3℃； 溫度均勻性：≤±1.5%； 升降溫速率：1℃/min～25℃/min； 6、壓力范圍：20KN，范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)；壓力控制精度：≤±2%； 壓力均勻性：≤±2%； 7、工藝腔室可填充2路以上工藝氣體； 8、馬達驅(qū)動的Z軸，可以對各種厚度的鍵合對進行自動調(diào)節(jié)。 支持各種厚度的墊片，提供專用的臨時鍵合對準夾具 設(shè)備2：解鍵合系統(tǒng) 數(shù)量：1 參數(shù)： 1、晶圓尺寸：最大尺寸12inch晶圓； 2、允許承載片材料：硅片或玻璃片，最大允許承載片厚度1.5mm 3、支持市場上各種主流的臨時鍵合膠； 4、可使用不同長度及不同厚度的解鍵合刀片精確確定解鍵合分離起始點，刀片高度調(diào)節(jié)分辨率 1um，最小解鍵合材料厚度推薦為20um； 5、解鍵合過程可通過程序分區(qū)定義解鍵合力量及速度； 6、所有解鍵合相關(guān)參數(shù)及數(shù)據(jù)均可被程序界面監(jiān)控及記錄；設(shè)備具備最大允許鍵合力檢測及上限保護機制；

730.0

2021.10

3

超導(dǎo)器件項目（四）

設(shè)備名稱：SFQ低頻多通道自動測試系統(tǒng) 數(shù)量：1 預(yù)算：198萬 參數(shù)： 1.配備≥128個IO口(高精度模擬信號模擬和高速數(shù)字信號模擬提供支持)； 2.低噪聲≥16比特可編程輸出偏置電流最大值為：±200μA, ±2mA, ±20mA, ±200mA ； 3.配備2個Keithley-2002 高精度多用電表(測量RSFQ器件輸出信號)； 4.配備2個高速GPIB-to-USB適配器(將測量到的數(shù)據(jù)傳入PC)； 5.高精度直流測量：150nV rms in DC-100Hz band； 6.配備≥16個額外的IO通道； 7.采樣數(shù)據(jù)測試速度：速度≥1MS/s，同時采樣； 8.采樣數(shù)據(jù)精度：峰峰值為10μV的噪聲； 9.支持任意兩通道的差分測量，精度0.5μV，4KHz帶寬； 10.高速USB-2界面(用于控制平臺的數(shù)字信號)； 11.MATLAB控制環(huán)境。 12. 低溫測試桿P3380LF-60TM， 用于5x5 mm芯片的60觸點定制芯片載體插件；全介質(zhì)芯片安裝；芯片熱循環(huán)在2-5秒內(nèi)，≤3W功率。集成在推進器中非磁性溫度傳感器，用于直接加熱與芯片接觸；在低溫下提供可靠接觸；改變針數(shù)(80針)；雙壁圓底獨立懸掛屏蔽罐系統(tǒng)；1 MHz濾波DB50標準連接器；同時支持測量和加熱器通道。 13. 2個 100L液氦杜瓦罐CMSH 100-3.5N。

198.0

2021.10

2

超導(dǎo)器件項目（三）

A包：晶圓激光隱切機 1臺 預(yù)算：480萬元 參數(shù)： 1、可接受6英寸和8英寸硅片襯底基板； 2、切割道寬度≤20微米。 3、樣品為激光切割無殘渣； 4、具有斷電自動保護功能； 5、最大切割速度≥1000mm/s 6、輪廓相機≥500萬像素，校準相機≥125萬像素，調(diào)教相機≥30萬像素； 7、具備防靜電裝置； 8、具有自動對準功能，且對準精度≤1微米； 9、帶機械臂，可自動從樣品盒上下料； 10、所有切片信息需有記錄，并具有通過SECS/GEM半導(dǎo)體通用接口協(xié)議上傳數(shù)據(jù)功能； 11.樣品加工厚度滿足0.1mm-1mm; 12.Z軸旋轉(zhuǎn)角度≥180° 13.具備產(chǎn)品二維碼讀取功能； 14.直線度≤5um 15.0.5mm厚度以下硅晶圓切片后無需裂片，直接擴膜即可分離 B包：全自動勻膠顯影系統(tǒng) 預(yù)算：298萬元 參數(shù)： 1、片盒為open casstte,數(shù)量:2個，兼容6英寸、8英寸晶圓； 2、勻膠、烘烤、顯影過程一體化全自動控制，帶機械臂，并配備SECE/GEM接口； 3、2套晶圓旋涂單元，兼容6英寸、8英寸晶圓； 4、2套恒溫控制供膠系統(tǒng)：（1）4路膠泵供膠+1路針筒供膠；（2）3路膠泵供膠+1路針筒供膠； 5、供膠系統(tǒng)膠嘴具有自清洗功能、具有膠嘴保濕功能； 6、旋涂單元最高轉(zhuǎn)速≥6000rpm，最小調(diào)整量1rpm； 7、旋涂轉(zhuǎn)速精度±1rpm@100-6000rpm； 8、2套顯影單元，兼容6英寸、8英寸晶圓，具有恒溫系統(tǒng)； 9、顯影單元最高轉(zhuǎn)速≥6000rpm，最小調(diào)整量1rpm； 10、旋涂轉(zhuǎn)速精度±1rpm@100-6000rpm； 11、2套顯影噴嘴系統(tǒng)：（1）2路顯影液+1路去離子水+1路定影液；（2）1路顯影液+1路去離子水； 12、4套熱板：加熱范圍：50-250℃；2套冷板：冷板溫度：20～25℃，±0.2℃ C包:ICP刻蝕機-TiN干法刻蝕 預(yù)算：330萬元 參數(shù)： 1、晶圓尺寸：≥6英寸； 2、真空系統(tǒng)：由機械干泵及分子泵構(gòu)成，腔室本底真空< 0.5 mTorr，腔室漏氣率< 1.0 mTorr； 3、等離子體系統(tǒng)：ICP源，功率:150-2400W，射頻RF功率:50-600W；匹配穩(wěn)定時間＜3s； 4、氣路輸送系統(tǒng)：至少八路工藝氣體：Ar、O2、N2、SF6、CF4、CHF3、Cl2、BCl3；Gasbox漏氣率< 0.5 mTorr/min； 5、TiN蝕刻能力： 刻蝕深度：50-300nm； 刻蝕速率＞50nm/min; 側(cè)壁傾角80-90°； 蝕刻均勻性≤±5%; D包：ICP刻蝕機-薄層介質(zhì)干法刻蝕 預(yù)算：465萬元 參數(shù)： 1、晶圓尺寸：≥6英寸； 2、真空系統(tǒng)：腔室本底真空< 0.5 mTorr，腔室漏氣率< 1.0 mTorr/min； 3、等離子體系統(tǒng)：中心ICP源功率:500-2400W，邊緣ICP源功率500-2400W，射頻RF功率:25-600W；匹配穩(wěn)定時間＜3s； 4、氣路輸送系統(tǒng)：至少八路工藝氣體：Ar、O2、N2、SF6、CF4、CHF3、Cl2、BCl3；Gasbox漏氣率< 0.5 mTorr/min； 5、SiO2蝕刻能力： 刻蝕深度：1-3um； 刻蝕速率＞200nm/min； 光刻膠刻蝕選擇比：1-2； 側(cè)壁傾角86-90°； 蝕刻均勻性≤±3%; E包：電感耦合等離子體增強化學(xué)氣相沉積系統(tǒng) 預(yù)算：482萬元 參數(shù)： 1、基片尺寸:兼容6英寸、8英寸； 2、采用平板三螺旋天線作為感應(yīng)耦合等離子體ICP源，通過電介質(zhì)板、將射頻功率耦合到等離子體中； 3、下電極配置射頻偏壓源，頻率13.56 MHz，功率≥ 300W； 4、下電極配置升降桿和機械卡盤，機械卡盤夾持部分不超過5 mm； 5、采用背氦傳熱的動態(tài)溫度控制系統(tǒng)，配有內(nèi)置加熱器和外置閉環(huán)熱交換器，溫度控制范圍室溫-300°C，溫度控制精度±1°C 6、反應(yīng)腔采用雙層進氣，配置單獨的SiH4進氣環(huán)； 7、帶loadlock預(yù)真空腔，本底真空≤ 0.1 mbar，真空漏率≤ 5E-4 mbarl/s； 8、反應(yīng)腔本底真空≤ 1E-6 mbar，真空漏率≤ 2E-4 mbarl/s； 9、至少5路工藝氣體：Ar, O2, CF4, 5%SiH4, NH3；每路工藝氣路均配置質(zhì)量流量計MFC、顆粒過濾器和氣動截止閥，其中5%SiH4和NH3工藝氣路配置防腐蝕MFC和旁路設(shè)計； 10、集成式氣路柜，質(zhì)量流量計MFC與反應(yīng)腔室間的距離不超過150 cm，可以實現(xiàn)工藝氣體的快速切換。； 11、設(shè)備配置在線膜厚監(jiān)測； 12、進樣后可全計算機控制工藝過程；且設(shè)備配置SECS/GEM標準工業(yè)接口； 13、工藝指標： （1）SiO2沉積工藝： 工藝氣體：5% SiH4, O2, Ar 沉積溫度：≤ 130oC 沉積速率：≥ 15 nm/min 片內(nèi)均勻性： 膜厚≤ ± 5%，折射率≤ ±0.01 （6英寸，不包含邊緣5mm） 片間重復(fù)性： 膜厚≤ ± 3%，折射率≤ ±0.01 （重復(fù)3片） 應(yīng)力范圍： ≤ 100 MPa （絕對值） BHF腐蝕速率： ≤ 300 nm/min (10:1 BHF @20℃) （2）SiNx沉積工藝： 工藝氣體： 5% SiH4, NH3, Ar 沉積溫度： ≤ 130oC 沉積速率： ≥ 15 nm/min 片內(nèi)均勻性： 膜厚≤ ± 5%，折射率≤ ±0.01 （6英寸） 片間重復(fù)性： 膜厚≤ ± 3%，折射率≤ ±0.01 （重復(fù)3片） 應(yīng)力范圍： ≤ 100 MPa （絕對值） BHF腐蝕速率： ≤ 50 nm/min (10:1 BHF @20℃) F包：ICP刻蝕機-厚膜介質(zhì)干法刻蝕(電感耦合等離子體刻蝕機) 預(yù)算：1200萬元 參數(shù)： 1、基片尺寸：≥6inch 2、上電極ICP源功率≥3000W，頻率13.56MHz，等離子體密度≥1012/cm3 3、下電極RF源功率≥1500

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2021.10